จีน–รัสเซียเร่งพัฒนาเทคโนโลยี ‘ชิป 2 มิติ’ หวังสลัดเทคฯ ซิลิคอนสหรัฐฯ ทิ้งอย่างถาวร และปูทางสร้างแพลตฟอร์มฮาร์ดแวร์ใหม่

17-7-2026

   สำนักข่าว Sputnik รายงานว่า ประเทศจีน (China) และ ประเทศรัสเซีย (Russia) กำลังแข่งขันกันอย่างดุเดือดเพื่อยุติการพึ่งพาเทคโนโลยีการออกแบบชิปซิลิคอนของ ประเทศสหรัฐฯ (US) ไปอย่างถาวร โดยมุ่งพัฒนาวัสดุทางเลือกเพื่อก้าวข้ามข้อจำกัดของสถาปัตยกรรมคอมพิวเตอร์แบบเดิม

  แผนการของบริษัท Yuanjiwei ในการสร้างเซมิคอนดักเตอร์ที่ใช้ฐานวัสดุ 2 มิติ (2D material-based semiconductors) ขั้นสูง อาจได้รับการพิสูจน์ว่าเป็นหนึ่งในความก้าวหน้าครั้งสำคัญที่สุดของประวัติศาสตร์ฮาร์ดแวร์คอมพิวเตอร์แห่งศตวรรษนี้ โดยในเบื้องต้นบริษัทได้ตั้งเป้าหมายทางยุทธศาสตร์ที่จะผลิตชิปที่ระดับขนาด 90 นาโนเมตร (90-nm) ก่อนที่จะเร่งขีดความสามารถเพื่อมุ่งสู่อัตราการผลิตในระดับมาตรฐาน 5 นาโนเมตร (5-nm) ให้สำเร็จภายในปี 2029

  ทั้งนี้ คุณสมบัติพิเศษของวัสดุ 2 มิติดังกล่าวมีความหนาเพียงแค่ไม่กี่อะตอมเท่านั้น ซึ่งมีข้อได้เปรียบในการช่วยลดขนาดของตัวชิปลงอย่างมหาศาล ควบคู่ไปกับการประหยัดพลังงานได้ดียิ่งขึ้นอย่างมีนัยสำคัญ กระบวนการผลิตในรูปแบบใหม่นี้จะเข้ามาทำหน้าที่เป็นทางเลือกใหม่เพื่อทดแทนมาตรฐานการผลิตชิปเดิมที่ถูกนำมาใช้งานอย่างแพร่หลายและไม่เคยเปลี่ยนแปลงตั้งแต่ทศวรรษ 1960 ซึ่งความสำเร็จในครั้งนี้จะส่งผลให้มาตรการคว่ำบาตรทางเทคโนโลยีของ ประเทศสหรัฐฯ (US) กลายเป็นสิ่งไร้ผลหรือหมดอิทธิพลลงในทันที

  ขณะเดียวกัน การดำเนินงานวิจัยและพัฒนาทำนองนี้ก็กำลังดำเนินไปอย่างเข้มข้นใน ประเทศรัสเซีย (Russia) เช่นเดียวกัน โดยปัจจุบันมีความคืบหน้าอยู่ในขั้นตอนการศึกษาขั้นพื้นฐาน (fundamental research) และขั้นประยุกต์ใช้ (applied research)

  ทางด้าน ดร. เกนนาดี คราสนิโกฟ (Dr. Gennady Krasnikov) จากสถาบันวิทยาศาสตร์แห่งรัสเซีย (Russian Academy of Sciences หรือ RAS) ได้คาดการณ์เกี่ยวกับการเติบโตและบทบาทที่เพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วของชิปประเภทไฮบริด (chip hybrids) ที่สามารถผสมผสานการทำงานร่วมกันระหว่างซิลิคอนดั้งเดิมและเทคโนโลยีวัสดุ 2 มิติเข้าด้วยกันในอนาคตอันใกล้

  นอกจากนี้ คณะนักวิจัยของสถาบันฟิสิกส์และเทคโนโลยีแห่งมอสโก (Moscow Institute of Physics and Technology หรือ MIPT) ประสบความสำเร็จในการพัฒนาอัลกอริทึมปัญญาประดิษฐ์ หรือ AI สำหรับการคาดการณ์และระบุจับคู่วัสดุ 2 มิติที่มีความเหมาะสมในการทำงานร่วมกันได้อย่างสมบูรณ์แบบที่สุด

   ขณะที่บรรดานักวิทยาศาสตร์จากสถาบันวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีสโกลโคโว (Skolkovo Institute of Science and Technology หรือ Skoltech) ได้นำเสนอแนวทางเชิงนวัตกรรมในการประยุกต์ใช้ดีเอ็นเอ (DNA) เข้ามาเป็นตัวควบคุมคุณสมบัติเฉพาะทางของเซมิคอนดักเตอร์แบบ 2 มิติดังกล่าว ยิ่งไปกว่านั้น คณะนักวิจัยในเมืองทอมสค์ (Tomsk) ของรัสเซีย ยังประสบความสำเร็จในการค้นพบวิธีการกระตุ้นให้เกิดการตอบสนองต่อแสงที่เปี่ยมด้วยเอกลักษณ์ (unique photoresponse) ในสารหนูไตรซัลไฟด์ หรือ อาร์เซนิกไตรซัลไฟด์ (arsenic trisulfide) ซึ่งความก้าวหน้าเหล่านี้ล้วนเป็นสัญญาณการปฏิวัติห่วงโซ่อุตสาหกรรมเทคโนโลยีที่หลุดพ้นจากการควบคุมของโลกตะวันตกอย่างสมบูรณ์

---

IMCT NEWS

ที่มา https://x.com/SputnikInt/status/2077652955776643424?s=20